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电子元器件检验与测试栏目导航     技术支持 原创--学林电子&51单片机学习网 2009.10.26 修订 版权所有未经许可 禁止转载

场效应三极管

场效应三级管与普通三级管不同,他属于电压控制器件,其管子电流受控于栅极电压,与电子管的特性类似。

场效应管的分类:按其工艺结构可分为结型场效应管(JEFT)和绝缘栅场效应管(MOS)类。按沟道所用的半导体材料又可分为N沟道和P沟道两种。(沟道即电流通道)按零栅压条件下源漏通端状态分,可分为增强型和耗尽型。所谓耗尽型是指零栅压时,场效应管已经存在沟道,而增强型只有栅偏压达到一定值才出现沟道。

场效应管的参数定义:

夹断电压:在规定的漏源电压下,使漏,源电流下降到规定值的栅,源电压。

开启电压:在规定的漏源电压下,使漏,源电流达到规定值的栅,源电压。

漏源饱和电流:在栅源短路,漏源电压足够大时的漏源电流。

正向跨导:在共源电路中,栅源输入电压每增加1V所引起的漏源输出电流的变化量。

最大栅源电压:MOS管因为其栅极有很高的绝缘电阻,因此栅极开路时,很容易使管子损坏,存放时应注意将三个管脚短接。

例:N 沟道结型场效应管:3DJ6D

饱和漏源电流:《0.35ma  夹断电压:<4V(-4V) 栅源绝缘电阻:10(8)ohm 正向跨导:>1000 输入电容:<5pf 电容反馈:<2pf 低频噪声:<5db 高频功率增益:>10db最高震荡频率:>30mhz最大漏源电压:20V 最大栅源电压:20V 最大耗散功率:100mw 最大漏源电流:15ma

可控硅

可控硅是硅可控整流器的简称,缩写为SCR 又称为晶闸管。可控硅按其电流容量,50A以上的为大功率管,5A以下的为小功率管,两者之间的则为中功率管。可控硅主要应用于无触点开关,调速,调光,稳压,变频等方面。

可控硅的结构:内部有相互交叠的4PN区组成,有三个PN结,三个电极,即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。一个是PNP,一个是NPN ,每个管子的集电极连接导另一个管子的基极,形成正反馈。

 

可控硅的主要参数定义如下:

额定正向平均电流:在规定条件下,阳极和阴极间可以连续通 过的50HZ正旋半波电流的平均值。维持电流:在规定条件下维持可控硅导通的最小正向电流。

正向(反向)阻断电压:定义为转折电压减去100V后的电压值,使用时正向电压不允许超过此值。

控制极触发电压电流:在规定条件下使可控硅导通所必须的最小控制极直流电压电流值,一般情况,控制极电压不的超过10V电流不超过1A

导通时间:从控制极加上信号到阳极电流上升到最终值的90%所需要的时间。他包括延迟时间,为阳极电流上升到10%的时间,上升时间,为从10%-90%所需要的时间。

关断时间:从切断正向电流到控制极恢复控制能力所需要的时间。

 

例:3CT061(小电流单向管)电流:1A触发电压:《2V触发电流:0.01-30ma导通时间<80us,关断时间:<2.5us瞬时电流:9.5A,3CTS5(小电流双向管)电流:5A触发电压:《3V,触发电流:50ma瞬时电流:42A